Волков А.Н. Модель прогнозирования надежности наноразмерных полевых транзисторов, учитывающая возможное влияние космического излучения. Надежность. 2016;16(3):18-22. https://doi.org/10.21683/1729-2646-2016-16-3-18-22
Volkov A.N. Model forforecasting the reliability of nanosized field-effect transistors considering possible influence of cosmic rays. Dependability. 2016;16(3):18-22. https://doi.org/10.21683/1729-2646-2016-16-3-18-22
Послать статью по эл. почте (Необходимо имя пользователя (логин))
Связаться с автором (Необходимо имя пользователя (логин)) 
