Для цитирования:

Волков А.Н. Модель прогнозирования надежности наноразмерных полевых транзисторов, учитывающая возможное влияние космического излучения. Надежность. 2016;16(3):18-22. https://doi.org/10.21683/1729-2646-2016-16-3-18-22

For citation:

Volkov A.N. Model forforecasting the reliability of nanosized field-effect transistors considering possible influence of cosmic rays. Dependability. 2016;16(3):18-22. https://doi.org/10.21683/1729-2646-2016-16-3-18-22