Preview

Надежность

Расширенный поиск

АНАЛИЗ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ НАДЕЖНОСТИ ДЛИННО-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СТЕПЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ СРОКА СЛУЖБЫ TL ОТ ТОКА ПОДЛОЖКИ ISUB

https://doi.org/10.21683/1729-2646-2015-0-4-47-56

Полный текст:

Аннотация

В работе исследовано влияние конструктивно-технологических параметров полевых металл-оксид-полупроводник-транзисторов (МОПТ) на прогнозирование надежности в степенной зависимости срока службы tL от тока подложки ISUB. Найдены конструктивно-технологические параметры, способные влиять на деградацию приборных характеристик МОПТ, вызванную инжекцией горячих носителей. Автор выражает благодарность научному руководителю, д.т.н., профессору Коробову А.И. за поддержку настоящей работы и ряд важных замечаний.

Об авторе

А. Н. Волков
ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф.В.Лукина
Россия
аспирант


Список литературы

1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. в 2-х частях. Часть 2. - Москва: Техносфера, 2004. - 536с.:ил.

2. Chenming Hu, Senior member, IEEE, Simon C. Tam, member, IEEE, Fu-Chien Hsu, member, IEEE, Ping-Keung Ko, member, IEEE, Tung-Yi Chan, Anid Kyle, W. Terril. Hot-Electron-Induced IMOSFET Degradation - Model, Monitor, and Improvement. IEEE Journal of Solid-state circuits, vol. SC-20, No. 1, February1985.

3. Tibor Grasser. Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices, Springer International Publishing Switzerland 2015.

4. Weber W., Werner C. and Schwerin A. Lifetime and substrate currents in static and dynamic hot carrier degradation. IEDM 86, p. 15.4, IEEE 1986. 5. James E. Chung, Min-Chie Jeng, James E. Moon, Ping-Keung Ko, Chenming Hu. Low-Voltage Hot-Electron Currents and Degradation in Deep-Submicrometer MOSFET’s. IEEE Transactions on electron devices, vol. 37. № 7, p. 1651, July 1990.

5. Hazama H., Iwase M., Takagi S. Hot carrier reliability in deep sub-micrometer MOSFET’s. IEDM 90, p. 24.5.1, IEEE 1990.

6. Rafi J.M., Campabadal F. Hot-carrier degradation in deep-submicrometer nMOSFET’s: lightly doped drain vs. large angle tilt implanted drain. Solid-State Electronics 45 (2001), p. 1391-1401.


Для цитирования:


Волков А.Н. АНАЛИЗ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ НАДЕЖНОСТИ ДЛИННО-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СТЕПЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ СРОКА СЛУЖБЫ TL ОТ ТОКА ПОДЛОЖКИ ISUB. Надежность. 2015;(4):47-56. https://doi.org/10.21683/1729-2646-2015-0-4-47-56

For citation:


Volkov A.N. ANALYSIS OF PREDICTION OF RELIABILITY OF LONG-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH APPLICATION OF POWER-LAW DEPENDENCE OF LIFETIME TL ON SUBSTRATE CURRENT ISUB. Dependability. 2015;(4):47-56. (In Russ.) https://doi.org/10.21683/1729-2646-2015-0-4-47-56

Просмотров: 140


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-2646 (Print)
ISSN 2500-3909 (Online)