Влияние низкоинтенсивного облучения на быстродействие КМОП микросхем
https://doi.org/10.21683/1729-2646-2024-24-3-61-66
Аннотация
Цель. Проведен анализ процессов деградации КМОП микросхем при воздействии ионизирующего излучения, в котором рассмотрены три процесса дефектообразования в МОП структуре на границе Si-SiO2. Методы. На примере тестовых логических элементов проанализирована зависимость времени условного отказа по быстродействию от мощности дозы гамма-излучения. Результаты. Определен критический дефект на границе Si-SiO2. Заключение. Предлагаемый в статье подход позволяет определить причины отказа КМОП микросхем. Представлен результат расчета времени отказа для трех значений мощности дозы.
Об авторах
А. В. Кузьминова
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
Россия
Кузьминова Алла Владимировна, к.т.н., доцент кафедры Компьютерные системы информационных технологий
109125, г. Москва
В. Д. Попов
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Россия
Россия
Попов Виктор Дмитриевич, д.т.н., профессор, Отделение нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ
г. Москва
Список литературы
1. Чжо Ко Вин. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний МОП интегральных схем // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2012. Вып.1 (228). С. 54-56.
2. Булушева М.А., Попов В.Д., Протопопов Г.А., Скородумова А.В. Физическая модель процесса старения МОП-структуры // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 4. С. 527-532.
3. Schroder D.K., Babcock J.A. Negative bias temperature instability: Road to cross in deep submicron silicon semiconductor manufacturing // Journal of Applied Physics. 2003. V. 94. No 1. P. 1-22. DOI: 10.1063/1.1567461
4. Кузьминова А.В., Попов В.Д. Исследование поверхностного дефектообразования на границе Si-SiO2 с использованием низкоинтенсивного гамма-облучения // Флагман науки. Научный журнал. 2023. № 10(10). С. 402-409. DOI: 10.37539/2949-1991.2023.10.10.017
5. Попов В.Д., Белова Г.Ф. Физические основы проектирования кремниевых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении. СПб.: Издательство «Лань», 2013. 208 с.
6. Sexton F.W., Schwank J.R. Correlation of radiation effects in transistors and integrated circuits // IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1985. Vol. 32. No 6. Pp. 3975-3981.
7. Алексеев И.И. и др. Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / Под ред. докт. техн. наук, проф. Г.Г. Райкунова. М.: Физматлит. 2013. 358 с.
Рецензия
Для цитирования:
Кузьминова А.В., Попов В.Д. Влияние низкоинтенсивного облучения на быстродействие КМОП микросхем. Надежность. 2024;24(3):61-66. https://doi.org/10.21683/1729-2646-2024-24-3-61-66
For citation:
Kuzminova A.V., Popov V.D. The effect of low-intensity radiation on the speed of CMOS microcircuits. Dependability. 2024;24(3):61-66. (In Russ.) https://doi.org/10.21683/1729-2646-2024-24-3-61-66
Просмотров:
156
ISSN 1729-2646 (Print)
ISSN 2500-3909 (Online)
ISSN 2500-3909 (Online)
Послать статью по эл. почте 